半導體器件中銅的電鍍方法

申請?zhí)枺?00710044800.3

名稱：半導體器件中銅的電鍍方法

公開(公告)號：CN101364542

公開(公告)日：2009.02.11

主分類號：H01L21/288(2006.01)I

申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司

地址：201203上海市浦東新區(qū)張江路18號

發(fā)明(設計)人：劉艷吉

專利代理機構：北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司

代理人：逯長明

摘要

本發(fā)明公開了一種半導體器件中銅的電鍍方法，包括步驟：將襯底放置于電鍍設備內(nèi)；提供第一電鍍電流對所述襯底進行第一電鍍處理；提供第二電鍍電流對所述襯底進行第二電鍍處理，且所述第二電鍍電流大于所述第一電鍍電流；提供第三電鍍電流對所述襯底進行第三電鍍處理，且所述第三電鍍電流大于所述第二電鍍電流；提供第四電鍍電流對所述襯底進行第四電鍍處理，且所述第四電鍍電流大于所述第三電鍍電流。本發(fā)明的銅的電鍍方法，采用了四步電鍍的方法，兼顧了對填充質(zhì)量及生產(chǎn)效率兩方面要求。