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半導(dǎo)體芯片背面采用多層金屬化以替代原鍍Ni或蒸Au工藝，成膜質(zhì)量可達(dá)到或接近國外產(chǎn)品先進(jìn)水平。該技術(shù)與相應(yīng)的燒結(jié)工藝相配，可使功率半導(dǎo)體器件的成品率和可靠性有明顯提高，熱阻下降約30%;二次擊穿功率耐量提高約40%;燒結(jié)成品率提高10%以上。該技術(shù)應(yīng)用于北京市半導(dǎo)體器件五廠的三端集成穩(wěn)壓器生產(chǎn)后，使該類穩(wěn)壓器的產(chǎn)品質(zhì)量大幅度提高，并使其芯片粘接成品率提高40%以上。目前，該技術(shù)已推廣到全國11省市20多個工廠和研究所，獲得了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會效益。
完成單位：清華大學(xué)微電子學(xué)研究所
郵政編碼：100044
成果類別：應(yīng)用技術(shù)
成果水平：國內(nèi)先進(jìn)
限制使用：國內(nèi)
成果密級：非密
鑒定日期：19860000
應(yīng)用行業(yè)：電子器件制造
鑒定部門：清華大學(xué)
轉(zhuǎn)讓方式：技術(shù)咨詢，
分類號：TN304.055
關(guān)鍵詞：多層金屬化 金屬化作用 半導(dǎo)體器件
