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公開日 20080506
發(fā)明人 TSAO J-C, CHEN K-W, LIN Y-K, CHERN C S
申請(qǐng)人 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
提供了一種用于半導(dǎo)體器件的互連結(jié)構(gòu)及其制造方法。該互連結(jié)構(gòu)具有多層結(jié)構(gòu)，其中含有至少一層應(yīng)力釋放層。在某實(shí)例中，應(yīng)力釋放層位于銅電鍍層或其他導(dǎo)電材料膜層之間。應(yīng)力釋放層抵消了導(dǎo)電材料所產(chǎn)生的應(yīng)力，以避免或減輕回縮空隙的產(chǎn)生。對(duì)于采用電鍍銅工藝的互連結(jié)構(gòu)而言，應(yīng)力釋放層能夠暫時(shí)降低電鍍電流，使銅層之間所形成的薄層銅具有較大的晶粒尺寸。與晶粒尺寸較小的銅層相比，晶粒尺寸較大的銅層通常具有更多的壓應(yīng)力。應(yīng)力釋放層也可用其他材料制備，如自離子化等離子體銅、鉭、碳化硅或類似物質(zhì)。
