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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】200710136784.0
【公開(公告)號(hào)】CN101114590
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】恩益禧電子股份有限公司
【申請(qǐng)日期】2007-7-27 0:00:00
【公開(公告)日】2008-1-30 0:00:00
本發(fā)明提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其包括利用導(dǎo)電材料填充設(shè)置于在襯底上形成的絕緣膜上的多個(gè)凹陷的電鍍工藝，其中該電鍍工藝包括：當(dāng)以導(dǎo)電材料填充在所有的該多個(gè)凹陷中的不大于預(yù)定的寬度的精細(xì)凹陷時(shí)，以第一電流密度來進(jìn)行電鍍，所述第一電流密度是通過基于在襯底的整個(gè)表面上的第一表面積S1和襯底的整個(gè)表面上的第二表面積S2的表面積之比Sr＝S1/S2，來修正預(yù)定的第一基準(zhǔn)電流密度而獲得的，所述第一表面積包括半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上的該多個(gè)凹陷的側(cè)墻的面積，而所述第二表面積不包括該多個(gè)凹陷的側(cè)墻的面積。
