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半導體基材結(jié)構(gòu).pdf

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【專利號(申請?zhí)?】200420059037.3

【公開(公告)號】CN2770096

【申請人(專利權(quán))】臺灣積體電路制造股份有限公司

【申請日期】2004-5-17 0:00:00

【公開(公告)日】2006-4-5 0:00:00

一種半導體基材結(jié)構(gòu),此半導體基材包含了具有導電區(qū)域與非導電區(qū)域的基材,其中導電區(qū)域為銅導線所構(gòu)成,且由電鍍制程所形成。一合金層,形成于這些導電區(qū)域中,且該合金層由鈷金屬薄膜與銅金屬薄膜經(jīng)熱處理制程所形成。

半導體基材結(jié)構(gòu).pdf
 

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關鍵詞: 半導體
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