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【專利號(申請?zhí)?】200510078832.6
【公開(公告)號】CN1702827
【申請人(專利權(quán))】株式會社東芝
【申請日期】2005-5-26 0:00:00
【公開(公告)日】2005-11-30 0:00:00
根據(jù)本發(fā)明一個方面的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：在襯底上形成 Cu的籽晶膜；多晶化在襯底上形成的籽晶膜；以及通過電解電鍍在多晶化的籽晶膜上形成Cu的電鍍膜。
【專利號(申請?zhí)?】200510078832.6
【公開(公告)號】CN1702827
【申請人(專利權(quán))】株式會社東芝
【申請日期】2005-5-26 0:00:00
【公開(公告)日】2005-11-30 0:00:00
根據(jù)本發(fā)明一個方面的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：在襯底上形成 Cu的籽晶膜；多晶化在襯底上形成的籽晶膜；以及通過電解電鍍在多晶化的籽晶膜上形成Cu的電鍍膜。
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