Si襯底電沉積制備ZnO及其特性研究

摘要：采用不同濃度的ZnCl₂的非水二甲基亞砜溶液做電解液，用陰極電沉積法在Si襯底上制備出了一系列的ZnO薄膜。實驗發(fā)現(xiàn)ZnCl₂的濃度對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)有著重要的影響。薄膜的X射線衍射（XRD）表明ZnCl₂濃度較低時，ZnO的特征峰被襯底Si的衍射峰掩蓋而較弱，當ZnCl₂濃度為0.05mol/L時ZnO的特征峰非常明顯。隨著zncl₂濃度的減小，薄膜的光致發(fā)光的發(fā)射譜變好，當ZnCl₂溶液濃度為0.01moL/L時光學(xué)性能最好，此時出現(xiàn)兩個崢，分別對應(yīng)紫峰和綠峰。同時研究了沉積時間和退火對薄膜的光學(xué)性能的影響。

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