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摘要：采用電化學(xué)沉積法，以硫酸銅、硫酸銦和二氧化硒為原料，在多孔TiO2基底上于沉積電位-1100mV成功沉積制備出CuInSe2薄膜。直接沉積的薄膜已有CIS結(jié)晶，但400℃下熱處理，可以明顯提高其結(jié)晶程度并改善光學(xué)性能。TiO2基底上CIS薄膜的禁帶寬度為0.89~0.92eV。
摘要：采用電化學(xué)沉積法，以硫酸銅、硫酸銦和二氧化硒為原料，在多孔TiO2基底上于沉積電位-1100mV成功沉積制備出CuInSe2薄膜。直接沉積的薄膜已有CIS結(jié)晶，但400℃下熱處理，可以明顯提高其結(jié)晶程度并改善光學(xué)性能。TiO2基底上CIS薄膜的禁帶寬度為0.89~0.92eV。
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