??
摘要：采用Mo/鈉鈣玻璃襯底為研究電極，飽和甘汞電極(SCE)為參比電極，大面積的鉑網(wǎng)電極為輔助電極的三電極體系，以氯化銅、三氯化銦、亞硒酸的水溶液為電解液，在鍍鉬的鈉鈣玻璃襯底上利用電沉積技術(shù)制備出太陽能電池用CuInSe2薄膜。通過EDS、XRD和SEM對制備的CuInSe2薄膜進行了表征，實驗結(jié)果表明利用電沉積方法可以制備出晶粒分布均勻的黃銅礦結(jié)構(gòu)的CuInSe2薄膜，禁帶寬度為1.14 eV左右，具有高的吸收系數(shù)。
摘要：采用Mo/鈉鈣玻璃襯底為研究電極，飽和甘汞電極(SCE)為參比電極，大面積的鉑網(wǎng)電極為輔助電極的三電極體系，以氯化銅、三氯化銦、亞硒酸的水溶液為電解液，在鍍鉬的鈉鈣玻璃襯底上利用電沉積技術(shù)制備出太陽能電池用CuInSe2薄膜。通過EDS、XRD和SEM對制備的CuInSe2薄膜進行了表征，實驗結(jié)果表明利用電沉積方法可以制備出晶粒分布均勻的黃銅礦結(jié)構(gòu)的CuInSe2薄膜，禁帶寬度為1.14 eV左右，具有高的吸收系數(shù)。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
