金屬硒化物電沉積動(dòng)力學(xué)模型的建立及應(yīng)用（Ⅱ）

摘要：將之前建立的金屬硒化物電沉積動(dòng)力學(xué)模型應(yīng)用于電沉積三元CuInSe₂薄膜的成分預(yù)測(cè)與動(dòng)力學(xué)行為分析, 并對(duì)理論模型進(jìn)行了初步修正. 對(duì)于CuInSe₂電沉積, Cu-Se體系可在較大的離子摩爾比范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)共沉積; Cu-In共沉積時(shí), 薄膜中銅原子的摩爾分?jǐn)?shù)會(huì)比電解液中銅離子的摩爾分?jǐn)?shù)高; 而對(duì)于In-Se體系, 銦離子的濃度應(yīng)遠(yuǎn)高于亞硒酸的濃度方能實(shí)現(xiàn)共沉積. 針對(duì)沉積電勢(shì)發(fā)生改變導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)選擇常數(shù)產(chǎn)生的差異進(jìn)行修正, 可有效降低模型預(yù)測(cè)結(jié)果的誤差。

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