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摘要：本文給出了一種水基電沉積CuInSe2薄膜過程當(dāng)中沉積電位變化的研究方法。通過向氯化銅(CuCl2•2H2O)，氯化銦，(InCl3•4H2O)，和氧化錫(SeO2)水溶液內(nèi)加入不同種類的絡(luò)合劑，討論了加入不同絡(luò)合劑后溶液的單掃描曲線變化情況。證明了絡(luò)合劑能夠使電沉積過程中的電位發(fā)生正向或者負(fù)向移動(dòng)，刺激反應(yīng)加快或者使反應(yīng)放平緩的作用。
摘要：本文給出了一種水基電沉積CuInSe2薄膜過程當(dāng)中沉積電位變化的研究方法。通過向氯化銅(CuCl2•2H2O)，氯化銦，(InCl3•4H2O)，和氧化錫(SeO2)水溶液內(nèi)加入不同種類的絡(luò)合劑，討論了加入不同絡(luò)合劑后溶液的單掃描曲線變化情況。證明了絡(luò)合劑能夠使電沉積過程中的電位發(fā)生正向或者負(fù)向移動(dòng)，刺激反應(yīng)加快或者使反應(yīng)放平緩的作用。
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