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摘要
公開(kāi)了一種金屬基電路板及其制造方法。該方法包括：在上一層電路的表面設(shè)置壓合層(110)，在所述壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽，所述凹槽的底部至少抵達(dá)所述上一層電路(120)，對(duì)所述凹槽進(jìn)行電鍍，電鍍?cè)谒霭疾壑械慕饘傩纬山饘倩?130)。通過(guò)將用于散熱的金屬基嵌入電路板內(nèi)部，該電路板適合于多種封裝形式，并實(shí)現(xiàn)高效散熱。
權(quán) 利 要 求
1、 一種金屬基電路板的制造方法， 其特征在于， 包括：
在上一層電路的表面設(shè)置壓合層;
在所述壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽， 所述凹槽的底部至少抵達(dá)所述上一層電路; 對(duì)所述凹槽進(jìn)行電鍍， 電鍍?cè)谒霭疾壑械慕饘傩纬山饘倩?/p>
2、根據(jù)權(quán)利要求 1所述的方法， 其特征在于， 所述在上一層電路表面設(shè)置 壓合層之前還包括：
在基板上開(kāi)設(shè)通孔并對(duì)所述通孔進(jìn)行金屬化;
在所述通孔中填充導(dǎo)熱材料， 所述導(dǎo)熱材料為固化樹(shù)脂或金屬漿料; 對(duì)進(jìn)行了上述處理的基板進(jìn)行電鍍， 形成覆蓋基板表面的金屬導(dǎo)電層; 在所述金屬導(dǎo)電層上制作電路。
3、根據(jù)權(quán)利要求 2所述的方法， 其特征在于， 所述在壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽包 括：
在所述壓合層上對(duì)應(yīng)于所述通孔的位置開(kāi)設(shè)凹槽。
4、根據(jù)權(quán)利要求 1所述的方法， 其特征在于， 所述在上一層電路表面設(shè)置 壓合層之前還包括：
在基板上開(kāi)設(shè)通槽， 所述通槽的位置與所述凹槽的位置對(duì)應(yīng);
對(duì)所述通槽進(jìn)行電鍍填充;
在所述基板表面制作電路。
5、 根據(jù)權(quán)利要求 1所述的方法， 其特征在于， 所述對(duì)凹槽進(jìn)行電鍍包括： 在所述壓合層的未開(kāi)設(shè)凹槽的部位設(shè)置干膜;
對(duì)所述 槽進(jìn)行電鍍， 使 槽中電鍍的金屬達(dá)到預(yù)設(shè)的厚度;
去除干膜， 表面整平。
6、 根據(jù)權(quán)利要求 1所述的方法， 其特征在于：
所述壓合層包括：設(shè)置在所述上一層電路表面的絕緣介質(zhì)層和設(shè)置在所述 絕緣介質(zhì)層表面的金屬導(dǎo)電層; 或者，
所述壓合層包括：設(shè)置在所述上一層電路表面的半固化片和設(shè)置在所述半 固化片表面的下一層基板，所述下一層基板的至少接觸所述半固化片的一面已 制作好電路。
7、 根據(jù)權(quán)利要求 1至 6中任一項(xiàng)所述的方法， 其特征在于， 所述對(duì)凹槽進(jìn) 行電鍍之后， 還包括：
在所述壓合層上制作一層電路;
重復(fù)所述設(shè)置壓合層， 開(kāi)設(shè)凹槽， 對(duì)凹槽進(jìn)行電鍍的步驟。
8、 根據(jù)權(quán)利要求 1至 6中任一項(xiàng)所述的方法， 其特征在于：
所述在上一層電路的表面設(shè)置壓合層包括：在上一層電路的表面設(shè)置至少 兩個(gè)壓合層，其中，每設(shè)置下一個(gè)壓合層之前，在上一個(gè)壓合層上制作出電路; 所述在壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽包括： 在所述至少兩個(gè)壓合層上開(kāi)始凹槽， 所述 凹槽的底部 4氏達(dá)所述上一層電路。
9、 根據(jù)權(quán)利要求 1或 2所述的方法， 其特征在于， 對(duì)所述凹槽進(jìn)行電鍍， 電鍍?cè)谒霭疾壑械慕饘傩纬山饘倩筮€包括：
在所述上一層電路的相對(duì)面形成粘接層， 并在粘接層上粘接導(dǎo)熱金屬層。
10、 一種金屬基電路板， 其特征在于， 包括：
基板， 位于基板表面的電路層， 以及設(shè)置在電路層表面的壓合層; 所述壓合層上開(kāi)設(shè)有抵達(dá)所述電路層的凹槽，所述凹槽中設(shè)置有電鍍形成 的金屬基。
11、 根據(jù)權(quán)利要求 10所述的金屬基電路板， 其特征在于：
所述壓合層包括：設(shè)置在所述上一層電路表面的絕緣介質(zhì)層和設(shè)置在所述 絕緣介質(zhì)層表面的金屬導(dǎo)電層; 或者，
所述壓合層包括：設(shè)置在所述上一層電路表面的半固化片和設(shè)置在所述半 固化片表面的下一層基板，所述下一層基板的至少接觸所述半固化片的一面已 制作好電路。
12、 根據(jù)權(quán)利要求 10所述的金屬基電路板， 其特征在于：
所述基板上對(duì)應(yīng)于所述凹槽的位置開(kāi)設(shè)有金屬化通孔，所述通孔中填充有 導(dǎo)熱材料， 所述導(dǎo)熱材料為固化樹(shù)脂或金屬漿料。
13、 根據(jù)權(quán)利要求 10所述的金屬基電路板， 其特征在于：
所述基板上對(duì)應(yīng)于所述凹槽的位置開(kāi)設(shè)有通槽， 所述通槽被電鍍填充。 14、 根據(jù)權(quán)利要求 10所述的金屬基電路板， 其特征在于：
所述電路層包括位于基板上表面的上電路層和位于基板下表面的下電路 層，所述壓合層包括設(shè)置所述上電路層表面的上壓合層和設(shè)置在所述下電路層 表面的下壓合層。
15、 根據(jù)權(quán)利要求 10所述的金屬基電路板， 其特征在于：
所述壓合層包括依次設(shè)置的兩個(gè)以上子壓合層，所述凹槽以及設(shè)置在所述 凹槽中的金屬基貫穿所述兩層以上的子壓合層。
16、 根據(jù)權(quán)利要求 10或 15所述的金屬基電路板， 其特征在于： 該電路板還 包括粘接層和金屬導(dǎo)熱層， 所述電路層位于所述基板的一表面， 該粘接層一表 面粘接于該基板的與該電路層相對(duì)的表面，該粘接層的另一表面設(shè)置該金屬導(dǎo) 熱層。
本申請(qǐng)要求于 2011 年 6 月 30 日提交中國(guó)專(zhuān)利局、 申請(qǐng)?zhí)枮?201110181156.0、 發(fā)明名稱(chēng)為 "金屬基電路板及其制造方法" 的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng) 的優(yōu)先權(quán)， 其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在本申請(qǐng)中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子封裝技術(shù)領(lǐng)域， 具體涉及一種金屬基電路板及其制造方 法。
背景技術(shù)
當(dāng)今的電子產(chǎn)品朝著兩個(gè)方向發(fā)展： 一方面產(chǎn)品的集成度越來(lái)越高、 功耗 不斷增大; 另一方面產(chǎn)品越來(lái)越輕、 薄、 短。 這就使得產(chǎn)品的散熱矛盾越來(lái)越 突出。 集成電路封裝作為電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵支柱之一， 也不斷向高集成 度、 高性能、 高可靠性、 低功耗和低成本方向發(fā)展。 電路板， 特別是其中作為 封裝集成電路的主要載體的封裝基板， 被要求具有更加優(yōu)良的散熱性能。
如圖 1所示，目前常用的提高封裝基板散熱性能的方法是，在封裝基板( a ) 上層壓一層金屬板作為金屬基 ( b )進(jìn)行散熱。 要實(shí)現(xiàn)高效散熱的目的， 就要 層壓較厚的金屬基。 然而， 該方法僅能從電路板的最外層的表面導(dǎo)熱， 無(wú)法及 時(shí)將電路板內(nèi)部的熱量導(dǎo)出， 散熱效果不佳。 尤其是封裝有芯片的部位， 熱量 更是積聚于封裝基板內(nèi)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種金屬基電路板及其制造方法，采用該方法制造的金 屬基電路板， 可以將電路板內(nèi)部的熱量及時(shí)導(dǎo)出， 提高散熱效率。
一種金屬基電路板的制造方法， 包括：
在上一層電路的表面設(shè)置壓合層;
在所述壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽， 所述凹槽的底部至少抵達(dá)所述上一層電路; 對(duì)所述凹槽進(jìn)行電鍍， 電鍍?cè)谒霭疾壑械慕饘傩纬山饘倩?/p>
一種金屬基電路板， 包括：
基板， 位于基板表面的電路層， 以及設(shè)置在電路層表面的壓合層; 所述壓合層上開(kāi)設(shè)有抵達(dá)所述電路層的凹槽，所述凹槽中設(shè)置有電鍍形成 的金屬基。 本發(fā)明實(shí)施例采用在電路板的壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽，對(duì)凹槽進(jìn)行電鍍形成位 于凹槽內(nèi)的金屬基的技術(shù)方案， 使得用于散熱的金屬基可以嵌入電路板內(nèi)部， 從而制成的金屬基電路板可通過(guò)該嵌入電路板內(nèi)部的金屬基將電路板內(nèi)部的 熱量散發(fā)出去， 且若該金屬基上方安裝有元器件時(shí)， 還可以為該元器件散熱， 同時(shí)， 該方法制成的電路板， 由于其金屬基位于凹槽內(nèi)， 不會(huì)完全占據(jù)電路板 的一個(gè)表面， 因此， 可選擇在該電路板的兩面均制作電路圖形， 使電路板的兩 面均用于連接電子元件， 可以提高電路板的表面利用率。
附圖說(shuō)明
圖 1是現(xiàn)有的層壓了一層金屬基的電路板的示意圖;
圖 2是本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬基電路板的制造方法的流程圖;
圖 3a— 3s是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的金屬基電路板在制造過(guò)程中的示意圖; 圖 4a—4j是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的金屬基電路板在制造過(guò)程中的示意圖。 具體實(shí)施方式
本發(fā)明實(shí)施例提供一種金屬基電路板的制造方法， 包括： 在上一層電路的 表面設(shè)置壓合層; 在所述壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽， 所述凹槽的底部至少抵達(dá)所述上 一層電路; 對(duì)所述 槽進(jìn)行電鍍， 電鍍?cè)谒?槽中的金屬形成金屬基。 本發(fā) 明實(shí)施例還提供相應(yīng)的金屬基電路板。 以下分別進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。 實(shí)施例一、
請(qǐng)參考圖 2 , 本發(fā)明實(shí)施例提供一種金屬基電路板的制造方法。
電路板的制造從對(duì)基板的加工開(kāi)始。 基板( Core )是制造電路板的基本材 料。 如圖 3a所示， 基板包括內(nèi)層的絕緣介質(zhì)層 210和覆蓋在絕緣介質(zhì)外面的金 屬導(dǎo)電層 220, 所說(shuō)的絕緣介質(zhì)層 210可以是環(huán)氧樹(shù)脂、 玻璃布等， 所說(shuō)的金屬 導(dǎo)電層 220可以是銅箔。 通常， 所說(shuō)的基板可以是覆銅箔層壓板。
可以通過(guò)在基板的金屬導(dǎo)電層上進(jìn)行貼膜、 曝光、 顯影、 蝕刻、 去膜等步 驟制作出電路圖形， 已制成電路的金屬導(dǎo)電層可以稱(chēng)為電路層。所說(shuō)的貼膜可 以是貼干膜(Dry film )。 干膜是一種高分子的化合物， 它通過(guò)紫外線(xiàn)的照射后 能夠產(chǎn)生一種聚合反應(yīng)形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)附著于基板表面，從而達(dá)到阻擋電 鍍和蝕刻的功能。在金屬導(dǎo)電層表面貼上干膜，將不需要形成電路的部位的干 膜用擋光材料擋住，然后利用紫外線(xiàn)對(duì)干膜進(jìn)行曝光，再利用顯影液進(jìn)行顯影， 其中， 未被擋住的干膜曝光后附著在金屬導(dǎo)電層表面，被擋住未能曝光的干膜 溶于顯影液中。 然后進(jìn)行蝕刻，金屬導(dǎo)電層的未被干膜保護(hù)的部分將被蝕刻液 蝕掉， 被保護(hù)的部分則保留下來(lái)形成電路圖形。 最后將干膜去掉， 則制作電路 以形成電路層的步驟就告以結(jié)束。
可以?xún)H在基板的一面制作電路， 制成單面板; 也可以同時(shí)在基板的上下兩 面制作電路， 制成雙面板; 還可以以間隙法 (Clearance Hole)、增層法 (Build Up) 法、 鍍通法 (PTH)等方法制作多層板。 本發(fā)明實(shí)施例的方法針對(duì)于多層板。
請(qǐng)參考圖 2, 本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬基電路板的制造方法包括：
110、 在上一層電路的表面設(shè)置壓合層。
所說(shuō)的上一層電路，可以指基板表面制作的電路。但是，隨著層數(shù)的增加， 所說(shuō)的上一層電路也可以是指其它層的電路。 可以通過(guò)兩種方式設(shè)置壓合層。 一種方式， 所述壓合層包括： 設(shè)置在上一層電路表面的絕緣介質(zhì)層和設(shè)置在所 述絕緣介質(zhì)層表面的金屬導(dǎo)電層。 如圖 3g所示， 該方式設(shè)置的壓合層包括： 設(shè) 置在電路層 231表面的絕緣介質(zhì)層 240和設(shè)置在所述絕緣介質(zhì)層表面的金屬導(dǎo) 電層 250。 另一種方式， 所述壓合層包括： 設(shè)置在所述上一層電路表面的半固 化片和設(shè)置在所述半固化片表面的下一層基板，所述下一層基板的至少接觸所 述半固化片的一面已制作好電路。 以上兩種方式中， 所述的設(shè)置都可以是通過(guò) 壓合的方式設(shè)置。
120、 在所述壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽， 所述凹槽的底部至少抵達(dá)所述電路層。 如圖 3h所示，在壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽 304, 以便后續(xù)制作嵌入凹槽的金屬基。 凹槽 304要具備一定的深度，其底部可以抵達(dá)上一層電路，即電路層 231 , 當(dāng)然， 也可以更深， 例如， 凹槽 304甚至可以是貫穿基板的通槽。 一般的， 使所述凹 槽 304的底部抵達(dá)上一層電路， 如電路層 231即可。
130、 對(duì)所述凹槽進(jìn)行電鍍， 電鍍?cè)谒霭疾壑械慕饘傩纬山饘倩?/p>
對(duì)凹槽進(jìn)行電鍍， 電鍍?cè)诎疾壑械慕饘偌葱纬捎糜谏岬慕饘倩１静襟E 具體可以包括：
131、 在所述壓合層的未開(kāi)設(shè)凹槽的部位設(shè)置干膜。 如圖 3i所示， 本步驟在壓合層的未開(kāi)設(shè)凹槽的其它部位設(shè)置干膜 260, 目 的在于防止凹槽以外的部位被電鍍。設(shè)置干膜的步驟具體包括貼膜、曝光和顯 影， ：¾口前文所述， 本處不再詳述。
132、 對(duì)所述凹槽進(jìn)行電鍍， 使凹槽中電鍍的金屬達(dá)到預(yù)設(shè)的厚度。
干膜設(shè)置好后， 即可對(duì)凹槽進(jìn)行電鍍， 可以控制鍍層的厚度， 在達(dá)到預(yù)設(shè) 的厚度時(shí)停止電鍍。 如圖 3j所示， 電鍍完畢， 凹槽中的金屬， 即金屬基 305可 以略高于壓合層所包括的金屬導(dǎo)電層 250。
133、 去除干膜， 表面整平。
如圖 3k和圖 31所示， 最后去除干膜， 將金屬基 305與金屬導(dǎo)電層 250整理平 齊即可。
至此， 金屬基制作完畢。
金屬基制作完成后，在最外層的一個(gè)或兩個(gè)金屬導(dǎo)電層上進(jìn)行貼膜、曝光、 顯影、 蝕刻、 去膜等步驟制作最外層的電路圖形， 形成最外層的電路層， 然后 設(shè)置好阻焊層和焊盤(pán)， 金屬基電路板即制作完成。 其中，為了更好的使電路板內(nèi)部的熱量可以較好傳導(dǎo)到電路板表層的金屬 基上， 本發(fā)明還提供兩種優(yōu)選的實(shí)施方式：
一種實(shí)施方式中，為了將基板一面電路的熱量和基板內(nèi)部的熱量較好的傳 遞到另一面的金屬基上， 步驟 110之前， 可以先在基板上制作導(dǎo)熱通孔， 具體 步驟包括：
101、 在基板上開(kāi)設(shè)通孔并對(duì)所述通孔進(jìn)行金屬化。
如圖 3b所示， 在基板上預(yù)先開(kāi)設(shè)好通孔 301。 然后對(duì)通孔 301進(jìn)行金屬化， 以便實(shí)現(xiàn)上下兩面的熱傳導(dǎo)。 如圖 3c所示， 金屬化是指在通孔 301的孔壁上沉 淀一層金屬 302, 例如銅。 這里開(kāi)設(shè)的通孔 301是用于導(dǎo)熱的通孔， 在實(shí)際制程 中，也可以根據(jù)電路的需要開(kāi)設(shè)其它用于導(dǎo)電的通孔， 以實(shí)現(xiàn)兩層電路間的電 連接。
102、在所述通孔中填充導(dǎo)熱材料， 所述導(dǎo)熱材料為固化樹(shù)脂或金屬漿料。 為了增加通孔熱傳遞的截面積，提高熱傳達(dá)效率， 可以在金屬化后的通孔 中填充導(dǎo)熱材料 303 ,如圖 3d所示。所填充的導(dǎo)熱材料 303可以是固化樹(shù)脂或金 屬漿料。
103、 對(duì)進(jìn)行步驟 101和 102處理的基板進(jìn)行化學(xué)沉銅或電鍍， 形成覆蓋基 板表面的金屬導(dǎo)電層。
如圖 3e所示， 可以對(duì)進(jìn)行了步驟 101和 102處理的基板進(jìn)行化學(xué)沉銅或電 鍍， 從而在原來(lái)的金屬導(dǎo)電層上形成新的覆蓋基板表面的金屬導(dǎo)電層 230。 如 果填充的導(dǎo)熱材料是絕緣的固化樹(shù)脂，則通過(guò)化學(xué)沉銅的方法形成金屬導(dǎo)電層 230; 如果填充的導(dǎo)熱材料是導(dǎo)電的金屬漿料， 則通過(guò)電鍍的方法形成金屬導(dǎo) 電層 230。設(shè)置金屬導(dǎo)電層 230的目的是為后續(xù)電鍍形成金屬基做準(zhǔn)備，如果導(dǎo) 熱材料是絕緣的固化樹(shù)脂，在不先進(jìn)行化學(xué)沉銅的情況下，后續(xù)將無(wú)法電鍍金 屬基; 如果導(dǎo)熱材料是導(dǎo)電的金屬漿料， 在不先進(jìn)行電鍍的情況下， 后續(xù)也難 以電鍍足夠厚度的金屬基。 形成金屬導(dǎo)電層， 意味著導(dǎo)熱通孔已完成。 當(dāng)然， 也可在該鍍銅孔上方層壓一導(dǎo)熱絕緣層， 然后再沉銅電鍍， 如此一來(lái)， 該鍍銅 孔除作為導(dǎo)熱孔外， 還可實(shí)現(xiàn)層間電路連接。
104、 在所述金屬導(dǎo)電層上制作電路。
如圖 3f所示， 在導(dǎo)熱通孔制作完成后， 可以在金屬導(dǎo)電層 230上進(jìn)行貼膜、 曝光、 顯影、 蝕刻、 去膜等步驟制作電路圖形， 形成電路層 231。
然后，再執(zhí)行步驟 110-130,在上一層電路即電路層 231的表面設(shè)置壓合層， 在壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽， 對(duì)凹槽進(jìn)行電鍍形成金屬基。 其中， 開(kāi)設(shè)的凹槽的位置 可以是壓合層上對(duì)應(yīng)于通孔 301的位置。
本實(shí)施方式制成的金屬基位于開(kāi)設(shè)的凹槽中，其頂部與外層的金屬導(dǎo)電層 250平齊， 底部與內(nèi)層的電路層 231接觸， 可以高效率的傳導(dǎo)熱量。 并且， 由于 凹槽開(kāi)設(shè)在通孔所在的位置 ,凹槽中的金屬基與通孔中的填充的導(dǎo)熱材料可以 通過(guò)電路層 231連接， 在電路板的兩面均開(kāi)設(shè)有凹槽設(shè)有金屬基的情況下， 兩 面的金屬基可以通過(guò)通孔中的導(dǎo)熱材料良好的傳遞熱量。
另一種實(shí)施方式中，為了將電路板內(nèi)部的熱量較好的傳遞到電路板表層的 金屬基上， 可以采用如下的優(yōu)選方案：
101，、 如圖 3p所示， 在基板上開(kāi)設(shè)通槽 307。 該通槽 307貫穿整個(gè)基板， 通槽 307的位置與所述凹槽 304的位置對(duì)應(yīng)。 通槽 307的大小也可以選擇與凹槽 304的大小相當(dāng)。
102，、 如圖 3q所示， 對(duì)所述通槽 307進(jìn)行電鍍填充。 電鍍后， 通槽 307被 電鍍材料完全填充， 位于通槽 307內(nèi)的電鍍材料形成位于基板內(nèi)的內(nèi)層金屬基 308。 當(dāng)然， 在電鍍之前， 有必要對(duì)開(kāi)設(shè)了通槽 307先進(jìn)行沉銅處理， 在基板表 面和通槽 307的內(nèi)壁形成一導(dǎo)電層， 以便于后續(xù)進(jìn)行電鍍。
然后執(zhí)行步驟 104, 在基板表面形成電路層 231。
然后， 再執(zhí)行步驟 110-130, 在電路層 231的表面設(shè)置壓合層， 在壓合層上 開(kāi)設(shè)凹槽 304, 對(duì)凹槽 304進(jìn)行電鍍形成金屬基 305。 其中， 開(kāi)設(shè)的凹槽 304的位 置可以是壓合層上對(duì)應(yīng)于通槽 307的位置。 形成的金屬基 305和內(nèi)層金屬基 308 連接成為一個(gè)整體， 成為一整塊貫穿整個(gè)電路板的金屬基。
由于本實(shí)施方式形成的金屬基是一整塊貫穿整個(gè)電路板的金屬基。 從而， 電路板一個(gè)表面的熱量可以更好的傳遞到另一表面，電路板內(nèi)部的熱量也可以 更好的傳遞的電路板表層的金屬基上。與上一實(shí)施方式中采用的在基板開(kāi)設(shè)的 通孔中填充導(dǎo)熱材料來(lái)傳遞熱量的方法，本實(shí)施方式由于采用一整塊貫穿整個(gè) 電路板的金屬基來(lái)傳遞熱量，可以具有更高的熱傳遞效率，實(shí)現(xiàn)更高效的散熱。 進(jìn)一步的， 如果電路板需要設(shè)置更多層電路， 就需要設(shè)置多個(gè)壓合層， 在 每個(gè)壓合層上制作至少一層電路形成電路層。在這種應(yīng)用場(chǎng)景下， 可以通過(guò)以 下兩種方式來(lái)完成金屬基電路板的制作：
方式一： 在步驟 130形成金屬基之后， 在設(shè)置的壓合層上制作一層電路， 然后重復(fù)執(zhí)行步驟 110-130, 即， 重復(fù)所述設(shè)置壓合層， 開(kāi)設(shè)凹槽， 對(duì)凹槽進(jìn) 行電鍍的步驟。 下面詳細(xì)說(shuō)明， 請(qǐng)參考圖 3m, 在步驟 130之后可以包括：
在當(dāng)前的壓合層上制作一層電路以形成新電路層 251;
在該新電路層 251表面設(shè)置新壓合層;
在所述新壓合層上開(kāi)設(shè)新凹槽，所述新凹槽的底部抵達(dá)所述新電路層 251 ; 對(duì)所述新凹槽進(jìn)行電鍍， 電鍍?cè)谒鲂掳疾壑械慕饘傩纬尚陆饘倩?306。 采用該種方式，每增加壓合層(筒稱(chēng)增層)一次， 制作一次金屬基， 最后， 多次制成的多個(gè)金屬基連接成整體， 形成最終的金屬基。
其中， 如果基板中已預(yù)先制作了內(nèi)層金屬基 308 , 則采用本方式進(jìn)行增層 和在增層上制作金屬基后的電路板的剖面結(jié)構(gòu)如圖 3r所示。
方式二： 在步驟 120之前重復(fù)執(zhí)行步驟 110, 設(shè)置多個(gè)壓合層， 直到達(dá)到所 需要的電路層數(shù)， 其中， 每設(shè)置下一個(gè)壓合層之前， 在上一個(gè)壓合層上制作出 電路。 然后再執(zhí)行步驟 120, 在多個(gè)壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽， 并使凹槽的底部抵達(dá) 最內(nèi)層的電路層， 然后執(zhí)行步驟 130, 對(duì)該底部抵達(dá)最內(nèi)層電路層的 槽進(jìn)行 電鍍， 形成金屬基。 請(qǐng)參考圖 3n, 該方式形成的金屬基是一整塊的金屬基 305。
其中， 如果基板中已預(yù)先制作了內(nèi)層金屬基 308 , 則采用本方式制成的金 屬基電路板的剖面結(jié)構(gòu)如圖 3s所示。 以上， 結(jié)合附圖 3a— 3s對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬基電路板的制造方法進(jìn) 行了詳細(xì)說(shuō)明。 其中， 110-130中所述設(shè)置壓合層， 開(kāi)設(shè)凹槽， 對(duì)凹槽進(jìn)行電 鍍的步驟， 可以同時(shí)在基板的兩側(cè)進(jìn)行， 最后制成的電路板的兩個(gè)面均設(shè)置有 嵌入式金屬基。
然而，本發(fā)明實(shí)施例提供的方法還適用于其它的場(chǎng)景。例如圖 4a— 4j所示，
110-140中所述的設(shè)置壓合層， 開(kāi)設(shè)凹槽， 對(duì)凹槽進(jìn)行電鍍的步驟， 可以?xún)H在 基板的一個(gè)表面進(jìn)行， 即， 僅在一個(gè)面形成嵌入的式金屬基 305 , 然后在該嵌 有金屬基的一面制作出外層電路;在基板的另一面則可以設(shè)置整塊的用于散熱 的金屬板 300作為金屬導(dǎo)熱層， 具體的， 可以在另一面即所述電路層的相對(duì)面 形成絕緣的粘接層 400, 并在粘接層 400上粘接導(dǎo)熱金屬層。
進(jìn)一步的， 在基板上開(kāi)設(shè)有導(dǎo)熱通孔 301的情況下， 所說(shuō)的嵌入式金屬基 的傳遞熱量， 更高效的散熱。
進(jìn)一步的， 該電路板于該凹槽上方封裝有元器件， 如芯片， 該金屬基還可 為該元器件散熱。 當(dāng)然， 也可在基板的兩個(gè)面制作電路層， 在電路層上設(shè)置壓 合層， 并在壓合層上開(kāi)設(shè)凹槽和對(duì)凹槽進(jìn)行電鍍， 然后， 在其中一個(gè)側(cè)面的壓 合層的電路層上層壓導(dǎo)熱的絕緣層， 并在該絕緣層上設(shè)置該金屬板。 綜上， 本實(shí)施例介紹了一種金屬基電路板的制造方法， 采用在電路板的壓 合層上開(kāi)設(shè)凹槽，對(duì)凹槽進(jìn)行電鍍形成位于凹槽內(nèi)的金屬基的技術(shù)方案， 一方 面， 實(shí)現(xiàn)了將用于散熱的金屬基嵌入電路板內(nèi)部，從而使電路板的內(nèi)部的熱量 可通過(guò)該嵌入凹槽內(nèi)的金屬基散發(fā)出去， 且可選擇的在兩個(gè)最外層布線(xiàn)(即： 在一個(gè)面或兩個(gè)面布線(xiàn))， 進(jìn)而適合于各種類(lèi)型的封裝形式， 當(dāng)只于壓合層的 凹槽內(nèi)設(shè)置金屬基時(shí)還可以減少金屬基散熱電路板的厚度; 另一方面，金屬基 和電路板連為一體， 可以減小它們之間的熱阻， 以實(shí)現(xiàn)高效散熱。 該技術(shù)方案 尤其適用于封裝集成電路的封轉(zhuǎn)基板類(lèi)電路板的制作， 當(dāng)然，也可以用于其它 各種類(lèi)型電路板的制作。另夕卜，本發(fā)明實(shí)施例方法，采用電鍍方法制作金屬基， 可以在尺寸只有幾個(gè)毫米的封裝基板上制作面積很小的金屬基，也可以大型電 路板上制作面積較大的金屬基，因此適用范圍相當(dāng)廣泛，且適用于大批量生產(chǎn)， 實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 實(shí)施例二、
請(qǐng)參考圖 3a-3n, 本發(fā)明實(shí)施例提供一種金屬基電路板， 包括：
基板 210, 位于基板表面的電路層 231 , 以及設(shè)置在電路層 231表面的壓合 層;
所述壓合層上開(kāi)設(shè)有抵達(dá)所述電路層的凹槽 304, 所述凹槽中設(shè)置有電鍍 形成的金屬基 305。
其中， 所述壓合層可以包括： 設(shè)置在所述上一層電路表面的絕緣介質(zhì)層和 設(shè)置在所述絕緣介質(zhì)層表面的金屬導(dǎo)電層; 或者， 所述壓合層也可以包括： 設(shè) 置在所述上一層電路表面的半固化片和設(shè)置在所述半固化片表面的下一層基 板， 所述下一層基板的至少接觸所述半固化片的一面已制作好電路。
一種實(shí)施方式中，所述基板 210上對(duì)應(yīng)于所述凹槽 304的位置開(kāi)設(shè)有金屬化 通孔 301 , 所述通孔 301中填充有導(dǎo)熱材料 303 , 所述導(dǎo)熱材料 303為固化樹(shù)脂或 金屬漿料。
另一種實(shí)施方式中，所述電路層 231包括位于基板 210上表面的上電路層和 下電路層，所述壓合層包括設(shè)置所述上電路層表面的上壓合層和設(shè)置在所述下 電路層表面的下壓合層。 再一種實(shí)施方式中， 所述壓合層包括依次設(shè)置的兩個(gè)以上子壓合層， 所述 凹槽 304以及設(shè)置在所述凹槽 304中的金屬基 305貫穿所述兩層以上的子壓合 層。
再一種實(shí)施方式中， 該電路板還包括粘接層和金屬導(dǎo)熱層， 所述電路層位 于所述基板的一表面， 該粘接層一表面粘接于該基板的與該電路層相對(duì)的表 面， 該粘接層的另一表面設(shè)置該金屬導(dǎo)熱層。 本實(shí)施例提供的金屬基電路板， 具體可以是金屬基封裝基板， 用于集成電路的封裝; 也可以是其它各種類(lèi)型的 電路板， 例如系統(tǒng)電路板、 射頻電路板、 電源電路板等等。
本實(shí)施例提供的金屬基電路板，一方面， 實(shí)現(xiàn)了將用于散熱的金屬基嵌入 電路板內(nèi)部，從而使電路板的兩個(gè)最外層都可以布線(xiàn)，適合于各種類(lèi)型的封裝 形式， 并且可以減少金屬基散熱電路板的厚度; 另一方面， 金屬基和電路板連 為一體， 可以減小它們之間的熱阻， 以實(shí)現(xiàn)高效散熱。
以上僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及 其核心思想，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù) 人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)， 可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā) 明的保護(hù)范圍之內(nèi)。 本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
