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(10)申請(qǐng)公布號(hào) CN 102618834 A (43)申請(qǐng)公布日2012. 08. 01
(21)申請(qǐng)?zhí)?201210110493. 5
(22)申請(qǐng)日 2012. 04. 16
(71)申請(qǐng)人東海縣海峰電子有限公司
地址222300江蘇省連云港市東海縣駝峰鄉(xiāng) 工業(yè)集中區(qū)
(72)發(fā)明人朱木典
(74)專利代理機(jī)構(gòu)南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
代理人劉喜蓮
(51) Int. Cl.
C23C 14/24(2006.01)
C23C 14/16 (2006.01)
C23C 14/18(2006.01)
C23C 14/54(2006.01)
本發(fā)明是一種晶振晶體片的真空鍍膜方法，它采用蒸鍍的方式先在晶體片的正反兩面鍍上鎳材料膜，然后在鎳材料膜上鍍上銀材料膜;蒸鍍時(shí)，將晶體片置于分子泵鍍膜機(jī)的夾具中，先將鎳材料置于分子泵鍍膜機(jī)內(nèi)兩個(gè)鉬舟的一個(gè)上;在真空狀態(tài)下加熱放置鎳材料的鉬舟，至鎳材料升華并鍍至晶體片的一面上形成鎳膜后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相同方式將鎳材料鍍至晶體片的另一面上;再將銀材料置于兩個(gè)鉬舟的另一個(gè)上，在真空狀態(tài)下加熱放置銀材料的鉬舟，分別在鎳膜上鍍上銀膜。本發(fā)明方法制成的晶體片，鍍膜的耐高溫能力有效地提高，膜的附著力更強(qiáng)，不容易脫落，其老化率降低，延緩老化，使其性能更穩(wěn)定，有效地提高了晶振的合格率和使用壽命，符合環(huán)保要求。
1. 一種晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特征在于：它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅 晶體片為載體，采用蒸鍍的方式先在晶體片的正反兩面鍍上鎳材料膜，然后在鎳材料膜上 鍍上銀材料膜;蒸鍍時(shí)，將晶體片置于分子泵鍍膜機(jī)的夾具中，先將鎳材料置于分子泵鍍膜 機(jī)內(nèi)兩個(gè)鑰舟的一個(gè)上;啟動(dòng)分子泵鍍膜機(jī)，在真空狀態(tài)下加熱放置鎳材料的鑰舟，至鎳材 料升華并鍍至晶體片的一面上形成鎳膜后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相同的方式將鎳材料鍍至晶體 片的另一面上;然后重新啟動(dòng)設(shè)備，再將銀材料置于分子泵鍍膜機(jī)內(nèi)兩個(gè)鉬舟的另一個(gè)上， 在真空狀態(tài)下加熱放置銀材料的鑰舟，采用相同的方式分別在鎳膜上鍍上銀膜，即可。
