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ICF分解實驗中的平面調(diào)制靶

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-10-31??瀏覽次數(shù):425 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:摘要:介紹采用多次電鍍Ni圖形轉(zhuǎn)移工藝將激光干涉法獲得的耦合在光刻膠表面的起伏圖形進行復(fù)制以獲得Ni基圖形轉(zhuǎn)移模板,并進一步

摘要:介紹采用多次電鍍Ni圖形轉(zhuǎn)移工藝將激光干涉法獲得的耦合在光刻膠表面的起伏圖形進行復(fù)制以獲得Ni基圖形轉(zhuǎn)移模板,并進一步將表面起伏圖形復(fù)制到聚苯乙烯薄膜的表面,以獲得具有表面起伏圖形的平面調(diào)制靶。為提高圖形轉(zhuǎn)移的精度、研究電鍍圖形轉(zhuǎn)移工藝和聚苯乙烯薄膜圖形復(fù)制工藝對表面起伏圖形轉(zhuǎn)移精度的影響,以掃描電子顯微鏡對整個圖形轉(zhuǎn)移流程進行監(jiān)控,比較光刻膠表面圖形,一次、二次電鍍轉(zhuǎn)移圖形和轉(zhuǎn)移到聚苯乙烯上圖形的形貌。

   ICF分解實驗中的平面調(diào)制靶.pdf
 

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