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摘要；采用電沉積制各出成分富Cu的Cu(In，Ga)Se2薄膜，將薄膜在sc氣氛中退火后采用物理氣相法(PVD)沉積少量的In、Ga調(diào)整薄膜成分。通過不同測試手段分析了薄膜的成分、表面狀況、結(jié)晶質(zhì)量以及制各的太陽電池性能參數(shù)。結(jié)果表明，硒化后的CIGS薄膜成分貧Cu，表面光滑無裂紋， 晶粒尺寸增加，結(jié)晶度提高，形成單一的黃銅礦結(jié)構(gòu)，制各的電池效率達(dá)到6．89％。
摘要；采用電沉積制各出成分富Cu的Cu(In，Ga)Se2薄膜，將薄膜在sc氣氛中退火后采用物理氣相法(PVD)沉積少量的In、Ga調(diào)整薄膜成分。通過不同測試手段分析了薄膜的成分、表面狀況、結(jié)晶質(zhì)量以及制各的太陽電池性能參數(shù)。結(jié)果表明，硒化后的CIGS薄膜成分貧Cu，表面光滑無裂紋， 晶粒尺寸增加，結(jié)晶度提高，形成單一的黃銅礦結(jié)構(gòu)，制各的電池效率達(dá)到6．89％。
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