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陽極電沉積條件對 Ti/SnO2-Sb2O5 /PbO2 +Nano-Co3O4復(fù)合電極組成、形貌和結(jié)構(gòu)的影響

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-10-12??瀏覽次數(shù):654 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:摘要:在涂有中間層 SnO2-Sb2O5的 Ti基體上,采用陽極復(fù)合電沉積法制備了 Ti/SnO2-Sb2O5 /PbO2 +nano-Co3O4復(fù)合電極材料,利用X射

摘要:在涂有中間層 SnO2-Sb2O5的 Ti基體上,采用陽極復(fù)合電沉積法制備了 Ti/SnO2-Sb2O5 /PbO2 +nano-Co3O4復(fù)合電極材料,利用X射線衍射( XRD)、X射線光電子能譜( XPS)和掃描電子顯微鏡( SEM)等方法研 究了制備條件對該復(fù)合電極材料組成、結(jié)構(gòu)和形貌的影響。結(jié)果表明,納米 Co3O4的摻雜可提高 PbO2電極 表面的粗糙度和空隙率;沉積電位、鍍液中Co3O4粒子濃度及有機溶劑的添加等均對鍍層中Co3O4的嵌入量 有較大影響。

   陽極電沉積條件對 Ti_SnO2-Sb2O5 _PbO2 +Nano-Co3O4復(fù)合電極組成、形貌和結(jié)構(gòu)的影響.pdf
 

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