一種電沉積碘化銀半導(dǎo)體薄膜的電化學(xué)制備方法

公開(kāi)號(hào)       101871113

公開(kāi)日       2010.10.27

申請(qǐng)人  浙江大學(xué)

地址  浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號(hào)

本發(fā)明公開(kāi)了一種電沉積碘化銀半導(dǎo)體薄膜的電化學(xué)制備方法。包括如下步驟：(1)用丙酮沖洗ITO導(dǎo)電玻璃或硅片2 ~ 3次，再用去離子水將ITO導(dǎo)電玻璃或硅片放在超聲波清洗器里清洗，接著將ITO導(dǎo)電玻璃或硅片放在10%的硝酸溶液中活化，最后用去離子水反復(fù)沖洗；(2)將0.002 ~ 2.000 mol/L的AgNO₃、0.002 ~ 2.000 mol/L的KI、0.002 ~ 2.000 mol/L的乙二胺四乙酸二鈉混合，用2 mol/L的HNO₃或0.1 mol/L的NaOH溶液調(diào)節(jié)pH至7 ~ 13，得到電解液；(3)ITO導(dǎo)電玻璃或硅片作工作電極，鉑片電極作對(duì)電極，飽和甘汞電極作參比電極，電沉積得到碘化銀半導(dǎo)體薄膜，相對(duì)飽和甘汞電極的電沉積電壓為1.1 ~ 2.5 V，電沉積溫度25 ~ 80 °C。本發(fā)明通過(guò)電沉積一步合成具有一定取向和晶形的碘化銀，并且設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低廉，反應(yīng)條件要求較低。