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摘 要:針對(duì)封裝中的陶瓷外殼經(jīng)常出現(xiàn)的電鍍鍍層不穩(wěn)定的現(xiàn)象，通過(guò)滾鍍工藝的陰極導(dǎo)通方式和面積加以改進(jìn)，以改善電鍍時(shí)鍍件表面電流分布的均勻性，從而提高了滾鍍的鍍層質(zhì)量，通過(guò)對(duì)比，發(fā)現(xiàn)影響鍍層的關(guān)鍵性因素是與鍍件連接的陰極，改進(jìn)工藝后鍍層的質(zhì)量有明顯的提高。
摘 要:針對(duì)封裝中的陶瓷外殼經(jīng)常出現(xiàn)的電鍍鍍層不穩(wěn)定的現(xiàn)象，通過(guò)滾鍍工藝的陰極導(dǎo)通方式和面積加以改進(jìn)，以改善電鍍時(shí)鍍件表面電流分布的均勻性，從而提高了滾鍍的鍍層質(zhì)量，通過(guò)對(duì)比，發(fā)現(xiàn)影響鍍層的關(guān)鍵性因素是與鍍件連接的陰極，改進(jìn)工藝后鍍層的質(zhì)量有明顯的提高。
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