摘 要:來自消費類電子市場的需求使得半導體制造商向減小封裝尺寸、成本和重量,并增強功能和性能的方向努力。通過探素替代性的封裝方法逐一解決了這些挑戰(zhàn)。現(xiàn)在最為常見的一種方法是采用3.D封裝。銅電化學沉積(ECD)工藝已經(jīng)廣泛用于低成本晶圓級封裝(WLP)的制造中,例如凸點工藝(點狀和柱狀)、再分布層(RDL)以及新興的穿透硅通孔(TSV)和嵌入式無源元件(電感)應用。[第一段]
在TSV應用中控制電鍍槽.pdf