??
摘 要:為實現(xiàn)最有效的銅填充電鍍工藝（electroplating process for copper via fill），需要金屬籽晶（seed metal）的連續(xù)傳導層通過TSV結(jié)構的深度。憑借大多數(shù)TSV設計（深寬比AR〈15：1），物理氣相沉積（PVD）被確立為符合這一要求且風險最低的沉積技術，但對PVD的要求并不像許多人想象的那樣簡單。[第一段]
摘 要:為實現(xiàn)最有效的銅填充電鍍工藝（electroplating process for copper via fill），需要金屬籽晶（seed metal）的連續(xù)傳導層通過TSV結(jié)構的深度。憑借大多數(shù)TSV設計（深寬比AR〈15：1），物理氣相沉積（PVD）被確立為符合這一要求且風險最低的沉積技術，但對PVD的要求并不像許多人想象的那樣簡單。[第一段]
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
