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【簡(jiǎn)介】
提出了一種新穎的圓片級(jí)氣密封裝結(jié)構(gòu)。其中芯片互連采用了通孔垂直互連技術(shù)：KOH腐蝕和DRIE相結(jié)合的薄硅晶片通孔刻蝕技術(shù)、由下向上銅電鍍的通孔金屬化技術(shù)、純Sn焊料氣密鍵合和凸點(diǎn)制備相結(jié)合的通孔互連技術(shù)。整個(gè)工藝過(guò)程與IC工藝相匹配，并在圓片級(jí)的基礎(chǔ)上完成，可實(shí)現(xiàn)互連密度200／cm^2的垂直通孔密度。該結(jié)構(gòu)在降低封裝成本，提高封裝密度的同時(shí)可有效地保護(hù)MEMS器件不受損傷。實(shí)驗(yàn)還對(duì)結(jié)構(gòu)的鍵合強(qiáng)度和氣密性進(jìn)行了研究。初步實(shí)驗(yàn)表明，該結(jié)構(gòu)能夠滿(mǎn)足MIL-STD對(duì)封裝結(jié)構(gòu)氣密性的要求，同時(shí)其焊層鍵合強(qiáng)度可達(dá)8MPa以上。本工作初步在工藝方面實(shí)現(xiàn)了該封裝結(jié)構(gòu)，為進(jìn)一步的實(shí)用化研究奠定了基礎(chǔ)。
