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【簡介】
提出了一種新穎的圓片級氣密封裝結(jié)構(gòu)。其中芯片互連采用了通孔垂直互連技術(shù)：KOH腐蝕和DRIE相結(jié)合的薄硅晶片通孔刻蝕技術(shù)、由下向上銅電鍍的通孔金屬化技術(shù)、純Sn焊料氣密鍵合和凸點制備相結(jié)合的通孔互連技術(shù)。整個工藝過程與IC工藝相匹配，并在圓片級的基礎(chǔ)上完成，可實現(xiàn)互連密度200／cm^2的垂直通孔密度。該結(jié)構(gòu)在降低封裝成本，提高封裝密度的同時可有效地保護MEMS器件不受損傷。實驗還對結(jié)構(gòu)的鍵合強度和氣密性進行了研究。初步實驗表明，該結(jié)構(gòu)能夠滿足MIL-STD對封裝結(jié)構(gòu)氣密性的要求，同時其焊層鍵合強度可達8MPa以上。本工作初步在工藝方面實現(xiàn)了該封裝結(jié)構(gòu)，為進一步的實用化研究奠定了基礎(chǔ)。
