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【簡介】
采用化學(xué)方法腐蝕c-面藍(lán)寶石襯底，以形成一定的圖案；利用LP—MOCVD在經(jīng)過不同腐蝕時問的藍(lán)寶石襯底上外延生長GaN薄膜．采用高分辨率雙晶X射線衍射儀、三維視頻光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡進(jìn)行分析．結(jié)果表明，對藍(lán)寶石襯底腐蝕50 min情況下，外延生長的GaN薄膜晶體質(zhì)量最優(yōu)，其(0002)面上的XRD半峰全寬為202．68arcsec，(10—12)面上的XRD半峰全寬為300．24arcsec；其均方根粗糙度(RMS)為0．184 nm．
