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【簡介】
A1SiC電子封裝材料及構(gòu)件具有高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)和低密度等優(yōu)異性能，使封裝結(jié)構(gòu)具有功率密度高、芯片壽命長、可靠性高和質(zhì)量輕等特點(diǎn)，應(yīng)用范圍從功率電子封裝到高頻電子封裝。綜述了國內(nèi)外制備A1SiC電子封裝材料及構(gòu)件所涉及的預(yù)制件成形、液相浸滲鑄造、力學(xué)性能、氣密性、機(jī)械加工、表面處理和構(gòu)件連接等方面的研究進(jìn)展。
【簡介】
A1SiC電子封裝材料及構(gòu)件具有高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)和低密度等優(yōu)異性能，使封裝結(jié)構(gòu)具有功率密度高、芯片壽命長、可靠性高和質(zhì)量輕等特點(diǎn)，應(yīng)用范圍從功率電子封裝到高頻電子封裝。綜述了國內(nèi)外制備A1SiC電子封裝材料及構(gòu)件所涉及的預(yù)制件成形、液相浸滲鑄造、力學(xué)性能、氣密性、機(jī)械加工、表面處理和構(gòu)件連接等方面的研究進(jìn)展。
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