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離子束加速電壓對(duì)真空電弧沉積TiC_N涂層性能的影響.PDF

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2006-06-08??瀏覽次數(shù):356 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:離子束加速電壓對(duì)真空電弧沉積TiC_N涂層性能的影響.PDF

【簡(jiǎn)介】

利用等離子輔助真空電弧沉積技術(shù)分別在高速鋼片和單晶硅片制備了Ti(C,N)涂層,通過X 射線衍射和掃描電鏡研究了不同離子加速電壓對(duì)單晶硅片上涂層結(jié)構(gòu)和組織形貌的影響,并測(cè)定了高速鋼片上涂層的顯微硬度,同時(shí)進(jìn)行了耐磨性實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明:涂層主要由TiN和Ti(C,N)組成;隨著離子束加速電壓的增大,涂層的沉積速度增大,Ti(C,N)的衍射峰不斷寬化,晶格尺寸發(fā)生變化,但其表面形貌不受影響;當(dāng)離子束加速電壓為1500V時(shí),涂層有較高的耐磨性和顯微硬度;當(dāng)離子束加速電壓為2500V時(shí),涂層的耐磨性和顯微硬度都有所下降。

離子束加速電壓對(duì)真空電弧沉積TiC_N涂層性能的影響.PDF
 

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