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【專利號(申請?zhí)?】200810038106.5
【公開(公告)號】CN101320701
【申請人(專利權)】秦拓微電子技術（上海）有限公司;張健欣;許崇龍
【申請日期】2008-5-27 0:00:00
【公開(公告)日】2008-12-10 0:00:00
【專利簡介】
本發(fā)明揭示了一種先進的芯片尺寸封裝技術中銅凸柱的新制備方法，重點包括：1.選用合適的材料做掩膜制具，該掩膜制具具有較高的機械強度、抗彎強度、化學惰性及良好的絕緣性能。2.根據(jù)集成電路(IC) 的封裝要求，制備形成銅凸柱的通孔，并做小角度的倒角。3.該掩膜制具含有套刻標記，可與集成電路晶圓光刻對準。在使用時，該掩膜制具被緊密貼放在需要形成銅凸柱的晶圓上，然后置于電鍍液中進行電鍍。待銅柱在圓孔中形成后，再將掩膜制具取下，進行高溫回流(Reflow)處理，最終形成所述芯片尺寸封裝(CSP)用的銅凸柱。掩膜制具的俯視圖如圖所示。
