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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】200510024033.0
【公開(公告)號(hào)】CN1683600
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】上海交通大學(xué)
【申請(qǐng)日期】2005-2-24 0:00:00
【公開(公告)日】2005-10-19 0:00:00
一種納米碳化硅顆粒增強(qiáng)鎳基復(fù)合材料的復(fù)合電鑄制備方法，用電解鎳塊作陽極材料，不銹鋼片作為陰極沉積體，增強(qiáng)顆粒為10nm至50nm的碳化硅顆粒，采用的共沉積促進(jìn)劑為十六烷基溴化胺。碳化硅顆粒先與共沉積促進(jìn)劑溶液混合并進(jìn)行攪拌處理，然后倒入氨基磺酸鎳電鑄鍍液中，通直流電并不斷攪拌電鑄鍍液，使金屬鎳離子與增強(qiáng)體共同沉積在陰極母體上，最后將復(fù)合電鑄鍍層從陰極上剝離而得到整體納米碳化硅顆粒增強(qiáng)鎳基復(fù)合材料。本發(fā)明結(jié)合復(fù)合電沉積原理和電鑄技術(shù)，在工藝成本相對(duì)較低，操作溫度不高的情況下，制備的鎳基復(fù)合材料增強(qiáng)顆粒分布均勻，硬度高，強(qiáng)度高，延性好，整體厚度相對(duì)普通電鍍鍍層較大，可單獨(dú)被用作功能結(jié)構(gòu)材料。
