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(10)申請公布號 CN 102615877 A
(43)申請公布日2012.08.01
(21) 申請?zhí)?201210087145. 0
(22) 申請日 2012. 03. 29
申請人江蘇奧藍(lán)工程玻璃有限公司
地址226001江蘇省南通市港閘區(qū)秦灶街道 八里廟村八組
發(fā)明人顧海波陳穎璽
(74)專利代理機(jī)構(gòu)南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限 公司32243
代理人顧伯興
(51) Int. Cl.
B32B 9/04 (2006.01)
B32B 15/00(2006.01)
B32B /7/(9(9(2006. 01)
C03C 17/36(2006.01)
權(quán)利要求書1頁說明書3頁
(54)發(fā)明名稱
離線可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制造方法 (57)摘要
本發(fā)明公開了一種離線吋鋼低輻射鍍膜玻 璃，包括玻璃基片，玻璃基片上設(shè)有依次設(shè)有氮 化硅Si3N4、金屬鎳鉻NiCr、金屬銀Ag、金屬鎳鉻 NiCr、氮化硅Si3N4;離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的 制備方法為：在雙端離線高真空磁控滅射鍍膜設(shè) 備中，使其基礎(chǔ)真空達(dá)到103 Pa，線速度為3. 5米 /分鐘時，在玻璃上依次滅射氮化硅Si3N4、金屬鎳 絡(luò)NiCr、金屬銀Ag、金屬鎮(zhèn)絡(luò)NiCr、氮化桂Si3N4。
本發(fā)明具有在實(shí)現(xiàn)膜層的低輻射率和低傳熱性能 的基礎(chǔ)上，能夠同時實(shí)現(xiàn)可進(jìn)行異地?zé)崽幚淼壬?加工的優(yōu)點(diǎn)。
1. 一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于：所述玻璃基片上依次 設(shè)有氮化硅Si3N4、金屬鎳鉻NiCr、金屬銀Ag、金屬鎳鉻NiCr、氮化硅Si3N4。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片的厚度 為3mm?15mm,所述氮化娃Si3N4的厚度為35nm?45nm,所述金屬鎳鉻NiCr的厚度為1. 5? 2. 5nm,所述金屬銀Ag的厚度為6?10nm,所述金屬鎳鉻NiCr的厚度為2?2. 5nm,所述氮 化娃Si3N4的厚度為55?65nm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片的 厚度為3mm?15mm,所述氮化娃Si3N4的厚度為37nm,所述金屬鎳鉻NiCr的厚度為1. 9nm, 所述金屬銀Ag的厚度為8nm，所述金屬鎳鉻NiCr的厚度為2. lnm，所述氮化硅Si3N4的厚度 為 57nm。
4. 一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
A :選擇3?15mm玻璃基片，按預(yù)定尺寸切割，用清洗機(jī)對玻璃片進(jìn)行清洗;
B :將高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)真空設(shè)置為103 Pa,線速度設(shè)置為3. 5米/分鐘; C :將玻璃基片送入鍍膜室，依次設(shè)置第一高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為49KW? 60KW，在玻璃基片上濺射第一層35nm?45nm的氮化硅Si3N4 ;
D :設(shè)置第二高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 5KW?0. 75KW，在玻璃基片上濺射第 二層1. 5nm?2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ;
E :設(shè)置第三高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為2. 1KW?3. 2KW，在玻璃基片上濺射第 三層6nm?10nm的金屬銀Ag ;
F :設(shè)置第四高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 6KW?0. 80KW，在玻璃基片上濺射第 四層2nm?2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ;
G :設(shè)置第五高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為77KW?85KW，在玻璃基片上濺射第五 層55nm?65nm的氮化娃Si3N4。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述離線可鋼低輻射鍍膜玻璃ALT160的制備方法，其特征在于：
所述步驟A中，玻璃基片的厚度為6mm ;
所述步驟C中，設(shè)置第一高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為52KW，在玻璃基片上濺射 第一層37nm的氮化娃Si3N4 ;
所述步驟D中，設(shè)置第二高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 63KW，在玻璃基片上濺 射第二層1. 9nm的金屬鎳鉻NiCr ;
所述步驟E中，設(shè)置第三高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為2. 8KW，在玻璃基片上濺射 第三層8nm的金屬銀Ag ;
所述步驟F中，設(shè)置第四高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 69KW，在玻璃基片上濺 射第四層2. lnm的金屬鎳鉻NiCr ;
所述步驟G中，設(shè)置第五高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為80KW，在玻璃基片上濺射 第五層57nm的氮化娃Si3N4。
離線可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[1] 本發(fā)明涉及一種玻璃及其制造方法，特別是一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制
造方法。
背景技術(shù)
[2] 現(xiàn)有普通離線低輻射鍍膜玻璃由于膜系配置采用其他的材料，膜層耐侯性、耐酸 堿性都較差，膜層質(zhì)軟，容易氧化，且很難實(shí)現(xiàn)異地加工。離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，采用 氮化硅Si3N4膜層作為保護(hù)層，其對氧氣具有很低的擴(kuò)散系數(shù)，有較好的穩(wěn)定性，針孔密度 非常低。磁控濺射沉積的氮化硅膜層致密、平整且硬度很高，對可動離子有非常強(qiáng)的阻擋能 力，在1200°C時不發(fā)生氧化，有較好的抗蝕性，所以，使用Si3N4膜層作為離線可鋼低輻射鍍 膜玻璃的頂層保護(hù)膜，實(shí)現(xiàn)離線可鋼低輻射鍍膜玻璃耐高溫的性能，從而實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程異地化 的切割、磨邊、鋼化、中空等后續(xù)加工。
發(fā)明內(nèi)容
[3] 本發(fā)明的目的是為了克服普通離線低輻射鍍膜玻璃不能進(jìn)行熱處理的不足，提供 一種夠很強(qiáng)的阻隔紅外線，具有很好的隔熱功效，同時也能實(shí)現(xiàn)異地化后續(xù)深加工的離線 可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制造方法。
[4] 本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，包括玻 璃基片，玻璃基片上設(shè)有依次設(shè)有氮化硅Si3N4、金屬鎳鉻NiCr、金屬銀Ag、金屬鎳鉻NiCr、 氮化娃Si3N4。玻璃基片的厚度為3mm?15mm,氮化娃Si3N4的厚度為35nm?45nm,金屬鎳 鉻NiCr的厚度為1. 5?2. 5nm,金屬銀Ag的厚度為6?10nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為2? 2. 5nm,氮化娃Si3N4的厚度為55?65nm。
[5] 本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于：玻璃基片的厚度為3mm?15mm,氮化娃Si3N4的厚度 為37nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為1. 9nm,金屬銀Ag的厚度為8nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為
lnm,氮化娃Si3N4的厚度為57nm。
[6] 一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的制備方法，包括以下步驟：
A :選擇3?15mm玻璃基片，按預(yù)定尺寸切割，用清洗機(jī)對玻璃片進(jìn)行清洗;
B :將高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)真空設(shè)置為103 Pa,線速度設(shè)置為3. 5米/分鐘; C :將玻璃基片送入鍍膜室，依次設(shè)置第一高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為49KW? 60KW，在玻璃基片上濺射第一層35nm?45nm的氮化硅Si3N4 ;
D :設(shè)置第二高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 5KW?0. 75KW，在玻璃基片上濺射第 二層1. 5nm?2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ;
E :設(shè)置第三高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為2. 1KW?3. 2KW，在玻璃基片上濺射第 三層6nm?10nm的金屬銀Ag ;
F :設(shè)置第四高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 6KW?0. 80KW，在玻璃基片上濺射第 四層2nm?2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ;
設(shè)置第五高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為77KW?85KW，在玻璃基片上濺射第五 層55nm?65nm的氮化娃Si3N4。
[1] 本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于：
所述步驟A中，玻璃基片的厚度為6mm ;
所述步驟C中，設(shè)置第一高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為52KW，在玻璃基片上濺射 第一層37nm的氮化娃Si3N4 ;
所述步驟D中，設(shè)置第二高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 63KW，在玻璃基片上濺 射第二層1. 9nm的金屬鎳鉻NiCr ;
所述步驟E中，設(shè)置第三高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為2. 8KW，在玻璃基片上濺射 第三層8nm的金屬銀Ag ;
所述步驟F中，設(shè)置第四高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 69KW，在玻璃基片上濺 射第四層2. lnm的金屬鎳鉻NiCr ;
所述步驟G中，設(shè)置第五高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為80KW，在玻璃基片上濺射 第五層57nm的氮化娃Si3N4。
[2] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)：離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的頂層采用擴(kuò)散 系數(shù)很低的氮化硅Si3N4作為保護(hù)層，能夠使膜層在鋼化爐中進(jìn)行熱處理而不使膜層破壞， 且保持了原有熱工性能，同時將原片也進(jìn)行了鋼化處理，而且生產(chǎn)出來的離線可鋼低輻射 鍍膜玻璃能夠很強(qiáng)的阻隔紅外線、具有很好的隔熱功效，同時也能實(shí)現(xiàn)異地化后續(xù)深加工。
[3] 具體實(shí)施方式：
為了加深對發(fā)明的理解，下面將結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳述，該實(shí)施例僅 用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。
[4] 本發(fā)明離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的一種實(shí)施方式為：離線可鋼低輻射鍍膜玻璃是 在3mm?15mm的玻璃基片上依次設(shè)有35nm?45nm的氮化娃Si3N4,1. 5?2. 5nm的金屬鎳 鉻NiCr，6?10nm的金屬銀Ag，2?2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr，55?65nm的氮化硅Si具，其 中所述氮化娃Si3N4的最佳厚度為37nm,所述金屬鎳鉻NiCr的最佳厚度為1. 9nm,所述金屬 銀Ag的最佳厚度為8nm,所述金屬鎳鉻NiCr的最佳厚度為2. lnm,所述氮化娃Si3N4的最佳 厚度為57nm。
[5] 離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的制備方法，包括以下步驟：
A :選擇3?15mm玻璃基片，按預(yù)定尺寸切割，用清洗機(jī)對玻璃片進(jìn)行清洗;
B :將高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)真空設(shè)置為103 Pa,線速度設(shè)置為3. 5米/分鐘; C :將玻璃基片送入鍍膜室，依次設(shè)置第一高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為49KW? 60KW，在玻璃基片上濺射第一層35nm?45nm的氮化硅Si3N4 ;
D :設(shè)置第二高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 5KW?0. 75KW，在玻璃基片上濺射第 二層1. 5nm?2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ;
E :設(shè)置第三高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為2. 1KW?3. 2KW，在玻璃基片上濺射第 三層6nm?10nm的金屬銀Ag ;
F :設(shè)置第四高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為0. 6KW?0. 80KW，在玻璃基片上濺射第 四層2nm?2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ;
G :設(shè)置第五高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的功率為77KW?85KW，在玻璃基片上濺射第五層55nm?65nm的氮化娃Si3N4 ;
本發(fā)明具有在實(shí)現(xiàn)膜層的低輻射率和低傳熱性能的基礎(chǔ)上，能夠同時實(shí)現(xiàn)可進(jìn)行異地 熱處理等深加工的優(yōu)點(diǎn)。
[1] 實(shí)施例1 :
在雙端離線高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備中，使其基礎(chǔ)真空達(dá)到103Pa，線速度為3. 5米/ 分鐘時，在6mm玻璃基片上依次溉射：37nm的氮化硅Si3N4，1. 9nm的金屬鎳鉻NiCr，8nm的 金屬銀Ag, 2. lnm的金屬鎳鉻NiCr, 57nm的氮化娃Si3N4。
[2] 離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的頂層采用擴(kuò)散系數(shù)很低的氮化硅Si3N4作為保護(hù)層， 能夠使膜層在鋼化爐中進(jìn)行熱處理而不使膜層破壞，且保持了原有熱工性能，同時將原片 也進(jìn)行了鋼化處理，而且生產(chǎn)出來的離線可鋼低輻射鍍膜玻璃能夠很強(qiáng)的阻隔紅外線、具 有很好的隔熱功效，同時也能實(shí)現(xiàn)異地化后續(xù)深加工。
