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摘要:以多孔陽極氧化鋁為模板，采用兩步交流電脈沖沉積法制備具有單晶結(jié)構(gòu)的有序金納米線陣列。實(shí)驗(yàn)表明：在氧化鋁模板中由交流電沉積制備的金屬納米線，其成核電壓直接影響模板內(nèi)納米線的填充率，而生長電壓則控制納米線的結(jié)構(gòu)和形貌均一性。在最佳沉積條件下得到的金納米線陣列，其填充率高達(dá)95%，且具有單晶結(jié)構(gòu)。
摘要:以多孔陽極氧化鋁為模板，采用兩步交流電脈沖沉積法制備具有單晶結(jié)構(gòu)的有序金納米線陣列。實(shí)驗(yàn)表明：在氧化鋁模板中由交流電沉積制備的金屬納米線，其成核電壓直接影響模板內(nèi)納米線的填充率，而生長電壓則控制納米線的結(jié)構(gòu)和形貌均一性。在最佳沉積條件下得到的金納米線陣列，其填充率高達(dá)95%，且具有單晶結(jié)構(gòu)。
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