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MLCC三層鍍中甲基磺酸鍍錫體系工藝條件對錫鍍層性能影響的研究

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-08-27??瀏覽次數(shù):737 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:摘 要:針對了片式多層陶瓷電容器(MLCC)三層鍍甲基磺酸鍍純錫體系,提高鍍液中Sn2+ 離子濃度、添加劑濃度及增大陰極電流密度對電

摘 要:針對了片式多層陶瓷電容器(MLCC)三層鍍甲基磺酸鍍純錫體系,提高鍍液中Sn2+ 離子濃度、添加劑濃度及增大陰極電流密度對電流效率、沉積速度、最大允許電流密度及鍍層性能等幾個方面的影響。結(jié)果表明,提高Sn2+離子濃度和陰極電流密度后,添加劑I 按Sn2+離子濃度比例相應(yīng)提高,添加劑II 濃度不變,陰極電流密度提高至0.3~0.35 A/dm2,沉積速度加快,即鍍得相同厚度的鍍層,其電鍍時間可比原來工藝縮短三分之一,收到縮短電鍍生產(chǎn)周期、提高生產(chǎn)設(shè)備利用率的效果。

   MLCC三層鍍中甲基磺酸鍍錫體系工藝條件對錫鍍層性能影響的研究_續(xù)_.pdf
 

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