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IEC 60749-11 Corrigendum 1-2003 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第11部分 溫度的急速變化.雙液電鍍槽法

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核心提示:標(biāo)準(zhǔn)編號: IEC 60749-11 Corrigendum 1-2003中文標(biāo)準(zhǔn)名稱: 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第11部分:溫度的急速變化.雙液電鍍槽

標(biāo)準(zhǔn)編號: IEC 60749-11 Corrigendum 1-2003

中文標(biāo)準(zhǔn)名稱: 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第11部分:溫度的急速變化.雙液電鍍槽

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中國標(biāo)準(zhǔn)分類號: L40

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標(biāo)準(zhǔn)上傳日期: 2011/1/15

發(fā)布日期: 2003-01

英文標(biāo)準(zhǔn)名稱: Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 11: Rapid change of temperature; Two-fluid-bath method

采用國際標(biāo)準(zhǔn)號: OEVE/OENORM EN 60749-11-2003,IDT,

標(biāo)準(zhǔn)類別: 國際電工委員會標(biāo)準(zhǔn)

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關(guān)鍵詞: 電鍍槽 雙液
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