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CI-對(duì)泡沫鎳制備工藝的影響

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-07-19??瀏覽次數(shù):354 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:摘要:通過(guò)對(duì)比實(shí)驗(yàn),研究了在制備泡沫鎳材料的電沉積過(guò)程中CI對(duì)電鍍陰極和陽(yáng)極極化曲線(xiàn),電沉積結(jié)晶形態(tài)以及電流效率的影響。提

摘要:通過(guò)對(duì)比實(shí)驗(yàn),研究了在制備泡沫鎳材料的電沉積過(guò)程中CI對(duì)電鍍陰極和陽(yáng)極極化曲線(xiàn),電沉積結(jié)晶形態(tài)以及電流效率的影響。提出在制備泡沫鎳材料的工藝過(guò)程中,CI-的質(zhì)量濃度為10~15g/L,能得到結(jié)晶致密、晶粒尺寸均勻的高性能金屬材料,并且有利于提高陰極電流效率,節(jié)約生產(chǎn)成本。

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