標(biāo)王 熱搜: 五金  鍍鋅  酸銅  鍍鎳  鍍銅  鍍鉻  三價(jià)鉻  鍍金  鍍銀  配方 
 
當(dāng)前位置: 首頁 ? 技術(shù) ? 科技文獻(xiàn) ? 正文

Analysis on porous Si PL from quantum confinement effect

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-05-14??瀏覽次數(shù):391 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:Analysis on porous Si PL from quantum confinement effect

摘 要:We have measured the variation of photoluminescence(PL)in porous silicon with anodization(AO)time,HF soak time or natural oxidation time,and foud that the peak value of PL spectrum will shift towards shorter value as above time ia increased.The analyses in experiment and theory show that the quan-tum confined structures produced by the AO process may be responsible for the blue shift.

Analysis on porous Si PL from quantum confinement effect.pdf
 

分享到:
?
?
[ 技術(shù)搜索 ]? [ 加入收藏 ]? [ 告訴好友 ]? [ 打印本文 ]? [ 關(guān)閉窗口 ]
?

?
點(diǎn)擊排行
推薦技術(shù)
推薦圖文
 
網(wǎng)站首頁 | 關(guān)于我們 | 聯(lián)系方式 | 使用協(xié)議 | 版權(quán)隱私 | 網(wǎng)站地圖 | 排名推廣 | 網(wǎng)站留言 | RSS訂閱
                 ?|1?θ±? 310100103613
 
九龙县| 嘉义市| 阿拉善右旗| 涿鹿县| 公主岭市| 左贡县| 阿勒泰市| 新丰县| 玛沁县| 灵寿县| 尼勒克县| 承德市| 扬中市| 鄱阳县| 武宣县| 天气| 调兵山市| 蚌埠市| 咸阳市| 望江县| 大新县| 宿州市| 黔东| 三穗县| 淮安市| 新津县| 中阳县| 遂溪县| 九江市| 大兴区| 久治县| 禹城市| 江安县| 吉隆县| 和政县| 平陆县| 淅川县| 汶上县| 寿光市| 菏泽市| 会昌县|