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摘 要:報(bào)道了瓦特型鎳－碳化硅復(fù)合電沉積過程，研究了ＳｉＣ微粒的表面活性劑處理，粒子濃度陰極電流密度，攪拌和ｐＨ值等因素對(duì)鍍層硬度和耐磨性的影響。結(jié)果表明，在最佳的工藝條件下，可制備出性能優(yōu)良的復(fù)合鍍層（９％～１０％ＳｉＣ含量）其硬度是純Ｎｉ的４～５倍，耐磨性是純Ｎｉ的５～６倍。
摘 要:報(bào)道了瓦特型鎳－碳化硅復(fù)合電沉積過程，研究了ＳｉＣ微粒的表面活性劑處理，粒子濃度陰極電流密度，攪拌和ｐＨ值等因素對(duì)鍍層硬度和耐磨性的影響。結(jié)果表明，在最佳的工藝條件下，可制備出性能優(yōu)良的復(fù)合鍍層（９％～１０％ＳｉＣ含量）其硬度是純Ｎｉ的４～５倍，耐磨性是純Ｎｉ的５～６倍。
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