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摘 要:在ｐ型硅上利用氬離子激光進(jìn)行了選擇性電鍍銅的研究，考察了半導(dǎo)體表面處理?xiàng)l件、陰極偏壓和激光強(qiáng)度對(duì)陰極光電流及空間選擇性的影響。表面氧化膜和陽(yáng)極鈍化膜的存在使光電流降低近一個(gè)數(shù)量級(jí)，少量氧化膜可使選擇性提高。外加陰極偏壓和激光強(qiáng)度的增加導(dǎo)致光電流增大，選擇性降低。將氫氟酸處理的硅片在電解液中放置１０￣２０ｍｉｎ，于穩(wěn)定電位附近，用較弱激光照射可獲得選擇性銅鍍層。
