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高性能低燒MLC三層鍍工藝研究(一)靜態(tài)電鍍

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-05-13??瀏覽次數(shù):298 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:高性能低燒MLC三層鍍工藝研究(一)靜態(tài)電鍍

摘 要:本文探討了PMN系多層陶瓷電容器的靜態(tài)三層鍍工藝。分析了工藝參數(shù)驛MLC電性能的影響,表明靜態(tài)電鍍對(duì)MLC的電容量,經(jīng)緣電阻影響不明顯,而介質(zhì)損耗變化劇烈;和鍍Z/Sn相比,鍍Ni過程對(duì)MLC的性能影響較大。

高性能低燒MLC三層鍍工藝研究(一)靜態(tài)電鍍.pdf
 

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