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摘 要:介紹了原位電子學(xué)方法在半導(dǎo)體表面制備納米尺寸肖特基勢壘的工藝，討論了其制備原理和實驗條件，描述了納米尺度金屬／半導(dǎo)體界面特性，并對這種方法制務(wù)的肖特基勢壘與傳統(tǒng)方法制備的肖特基勢壘進行了比較，這種制備肖特基勢壘的方法克服了傳統(tǒng)制備方法的特點，所形成的金屬－半導(dǎo)體界面光滑無缺陷；生成的納米尺度金屬肖特基勢壘可用于制備單電子晶體管、單電子存儲器等納米器件。
摘 要:介紹了原位電子學(xué)方法在半導(dǎo)體表面制備納米尺寸肖特基勢壘的工藝，討論了其制備原理和實驗條件，描述了納米尺度金屬／半導(dǎo)體界面特性，并對這種方法制務(wù)的肖特基勢壘與傳統(tǒng)方法制備的肖特基勢壘進行了比較，這種制備肖特基勢壘的方法克服了傳統(tǒng)制備方法的特點，所形成的金屬－半導(dǎo)體界面光滑無缺陷；生成的納米尺度金屬肖特基勢壘可用于制備單電子晶體管、單電子存儲器等納米器件。
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