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摘 要:電化學(xué)處理技術(shù)的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)在芯片制造上是一個(gè)范例轉(zhuǎn)移。Cu芯片金屬化的雙大馬士革處理和面陣列芯片封裝互連的C4(倒裝)技術(shù)使電化學(xué)技術(shù)置于最復(fù)雜的制造工藝技術(shù)之間。這些工藝技術(shù)被集成到用于芯片制造的φ300mm晶圓處理中。新材料和工藝的持續(xù)發(fā)展來滿足微處理器件不斷增加性能和小型化的趨勢(shì)。電遷移問題和集成超低k電介質(zhì)材料與Cu鍍層的新拋光方法是芯片制造中的一個(gè)關(guān)鍵問題。發(fā)展一個(gè)適用成本低的無鉛C4芯片封裝互連是微電子工業(yè)的主要目標(biāo)，微電子工業(yè)正作努力在幾年里市場(chǎng)化無鉛產(chǎn)品。
