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摘 要:開(kāi)發(fā)了單晶硅上的選擇性無(wú)電鍍銅、鍍鎳工藝，形成了較為優(yōu)化的施鍍流程，實(shí)現(xiàn)了保形性、均鍍性較好的銅、鎳及其復(fù)合鍍層．其中針對(duì)單晶硅表面的特點(diǎn)，采取了濃酸處理和氧等離子轟擊兩種表面預(yù)處理方法，優(yōu)化了氯化鈀對(duì)表面的激活時(shí)間，使得鍍層質(zhì)量得到提高．提出了以鎳作為中間層以減小鍍層應(yīng)力的方法，施鍍后獲得的銅鍍層的電阻率為2．1μΩ·cm，銅／鎳復(fù)合鍍層的方塊電阻為0．19Ω／□．在單晶硅MEMS電感結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了較好的無(wú)電鍍銅，使得該元件的品質(zhì)因數(shù)超過(guò)25．
