??
摘 要:針對先進納米銅互連技術(shù)的要求，研究了脈沖時間和關(guān)斷時間對銅互連薄膜電阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度爭陛能的影響。實驗結(jié)果表明，占空比較小時，鍍層電阻率較大，晶粒直徑較小。脈沖時間選擇在毫秒數(shù)量級，占空比選擇在40％～60％之間容易獲得較小電阻率和較大晶粒尺寸的銅薄膜。[著者文摘]
摘 要:針對先進納米銅互連技術(shù)的要求，研究了脈沖時間和關(guān)斷時間對銅互連薄膜電阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度爭陛能的影響。實驗結(jié)果表明，占空比較小時，鍍層電阻率較大，晶粒直徑較小。脈沖時間選擇在毫秒數(shù)量級，占空比選擇在40％～60％之間容易獲得較小電阻率和較大晶粒尺寸的銅薄膜。[著者文摘]
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
