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摘 要:采用無(wú)電鍍沉積技術(shù)在經(jīng)過(guò)機(jī)械拋光的單晶硅襯底上沉積了銅納米晶。利用X射線衍射數(shù)據(jù),估算出所沉積銅納米晶的平均粒徑大約為40nm。對(duì)120s無(wú)電鍍沉積樣品的場(chǎng)發(fā)射測(cè)試表明,該樣品的開(kāi)啟場(chǎng)強(qiáng)為～5.5 V/μm,在場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到9.26 V/μm時(shí)的場(chǎng)發(fā)射電流密度可達(dá)到62.5μA/cm^2。對(duì)相應(yīng)的沉積過(guò)程和場(chǎng)發(fā)射機(jī)理進(jìn)行了分析。結(jié)果表明,無(wú)電鍍沉積技術(shù)有可能成為制備具有較好場(chǎng)發(fā)射性能的金屬/硅冷陰極的一種可供選擇的方法。[著者文摘]
