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摘 要:可以廣泛應(yīng)用于軍事和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)上的CMOS紫外焦平面陣列（UVFPA）是近年來比較熱門的研究課題。它可以比較容易地實(shí)現(xiàn)日盲式紫外探測和可見光盲式紫外探測。但在CMOSUVFPA的研制中，讀出集成電路（ROIC）成了制約其發(fā)展的很重要的一環(huán)。ROIC芯片是實(shí)現(xiàn)探測器的信號輸出的重要部件。混成式CMOSUVFPA要借助于先進(jìn)的微電子封裝工藝將ROIC與探測器陣列集成在一起。其中則需要制備用于高密度、高精確度互連的陣列凸點(diǎn)。我們通過蒸發(fā)結(jié)合光刻法和電鍍法分別制備了線度為30um×30um的16×16凸點(diǎn)陣列。并對兩種制備方法做了比較，在分析了制作的凸點(diǎn)的質(zhì)量后，認(rèn)為經(jīng)過改進(jìn)的蒸發(fā)結(jié)合光刻法可以制作高質(zhì)量的陣列凸點(diǎn)。[著者文摘]
