摘 要:為滿(mǎn)足測(cè)定232Th（a，2n）234。U反應(yīng)截面的需求，需在2μm和8μm厚的Al襯底上制備232Th的薄靶，要求靶厚100-200μg／cm2，不均勻性小于5％。為此，本工作采用分子電鍍法，研究并選擇了232Th的最佳電鍍條件，制備了均勻、牢固的232Th靶，并給出了該靶精確的質(zhì)量厚度值，滿(mǎn)足了試驗(yàn)要求。[第一段]
分子電鍍法制備232Th靶.pdf
??
