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CMOS影像感應(yīng)器構(gòu)裝——濕式無(wú)電鍍鎳沉積技術(shù)之最佳化

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-05-09??瀏覽次數(shù):304 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:CMOS影像感應(yīng)器構(gòu)裝——濕式無(wú)電鍍鎳沉積技術(shù)之最佳化

摘 要:無(wú)電鍍鎳金(ElectrolessNickel&ImmersionGold;簡(jiǎn)稱ENIG)沉積可以選擇性地沉積于鋁墊,由于此技術(shù)不必使用高成本之光阻微影制程,也不需真空濺鍍制程,它可以降低制造成本。然而在實(shí)際制造大量生產(chǎn)時(shí),常常面臨到化學(xué)鍍液很難控制之問(wèn)題。經(jīng)由精密控制其化學(xué)鍍液中之一些重要參數(shù),例如溫度、pH值、還原劑、鎳及穩(wěn)定劑濃度等,可以明顯提高制程性能,以滿足量產(chǎn)需求。[著者文摘]

CMOS影像感應(yīng)器構(gòu)裝——濕式無(wú)電鍍鎳沉積技術(shù)之最佳化.pdf
 

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