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摘 要:介紹RFMEMS開關(guān)的基本工藝流程的設(shè)計(jì)，工藝制作技術(shù)的研究，實(shí)驗(yàn)解決了種子層技術(shù)、聚酰亞胺犧牲層技術(shù)、微電鍍技術(shù)的工藝難題，制作出了RFMEMS開關(guān)樣品。RFMEMS開關(guān)樣品技術(shù)指標(biāo)達(dá)到：膜橋高度2—31μm，驅(qū)動電壓〈30V，頻率范圍0-40GHz，插入損耗≤1dB，隔離度≥20dB。[著者文摘]
摘 要:介紹RFMEMS開關(guān)的基本工藝流程的設(shè)計(jì)，工藝制作技術(shù)的研究，實(shí)驗(yàn)解決了種子層技術(shù)、聚酰亞胺犧牲層技術(shù)、微電鍍技術(shù)的工藝難題，制作出了RFMEMS開關(guān)樣品。RFMEMS開關(guān)樣品技術(shù)指標(biāo)達(dá)到：膜橋高度2—31μm，驅(qū)動電壓〈30V，頻率范圍0-40GHz，插入損耗≤1dB，隔離度≥20dB。[著者文摘]
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