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【簡介】
為解決裸(SiC)p在應用中存在的不足，提出(SiC)p表面低成本化學改性的思路。采用簡單的化學鍍技術，改進氧化、親水、敏化和活化的前處理工藝，對(SiC)p進行表面化學改性。確定了最佳的試驗工藝，獲得了鍍層連續(xù)、無光滑(SiC)p裸露的較高質量的碳化硅復合粉體[簡寫為(Ni／SiC)p]，通過SEM、EDS、XRD、TEM等測試，結果表明：改性后的(Ni／SiC)p較改性前的(SiC)p導電性有所提高，形貌、組成發(fā)生改變。同時分析了熱處理對(Ni／SiC)p的影響，鈷果表明：隨著溫度的升高，(Ni／SiC)p表面改性層中的鎳由非晶態(tài)轉化為晶態(tài)。
