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【簡介】
在空間堆中，氫化鋯作為慢化刑的工作溫度為650～750℃，在此溫度范圍內(nèi)，H／Zr原子數(shù)之比大于1．8的氫化鋯中的氫很容易析出。通過X射線光電子能譜(XPS)研究了電鍍法制備的氫化鋯表面氫滲透阻擋層的化學(xué)態(tài)， 對鍍層進行了深度(100、200、300nm)刻蝕分析和鍍層原子的定量分析。結(jié)果表明，鍍層中含有C、O、Cr和Zr，進行氫滲透試驗后(700℃保溫)的試樣鍍層的C—H鍵數(shù)量有明顯增加，而O—H鍵的數(shù)量變化不大。由此可以說明，氫滲透受阻的原因是氫在滲透過程中被鍍層中的C優(yōu)先捕獲生成O—H鍵。
