??
【簡(jiǎn)介】
對(duì)晶片進(jìn)行親水表面處理，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下500℃ 熱處理10min，成功實(shí)現(xiàn)GaAs與GaN 晶片的直接鍵合，鍵合質(zhì)量較好．掃描電子顯微鏡觀測(cè)結(jié)果表明，鍵合界面沒有空洞．光致發(fā)光譜觀測(cè)結(jié)果表明，鍵合工藝對(duì)晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的影響很小．可見光透射譜測(cè)試結(jié)果表明，鍵合界面具有良好的透光特性．GaAs與GaN晶片直接鍵合的成功，為實(shí)現(xiàn)GaAs和GaN材料的集成提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)．
