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【簡介】
在濺射淀積HfO2柵介質(zhì)之前，采用NO、N 2O、O2+CHCCI3(TCE)進(jìn)行表面預(yù)處理。結(jié)果表明，預(yù)處理能改善界面和近界面特性，減小界面層厚度，尤其是新穎的TCE+少量02的表面處理工藝，能有效抑制界面層的生長，大大降低界面態(tài)密度，減小柵極漏電流。其機理在于TCE分解產(chǎn)生的Cl2和HCI能有效地鈍化界面附近si懸掛鍵和其它結(jié)構(gòu)缺陷，并能去除離子污染。
【簡介】
在濺射淀積HfO2柵介質(zhì)之前，采用NO、N 2O、O2+CHCCI3(TCE)進(jìn)行表面預(yù)處理。結(jié)果表明，預(yù)處理能改善界面和近界面特性，減小界面層厚度，尤其是新穎的TCE+少量02的表面處理工藝，能有效抑制界面層的生長，大大降低界面態(tài)密度，減小柵極漏電流。其機理在于TCE分解產(chǎn)生的Cl2和HCI能有效地鈍化界面附近si懸掛鍵和其它結(jié)構(gòu)缺陷，并能去除離子污染。
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