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【簡介】
摘 要：在絕緣材料表面涂布活化催化膜、通過光選擇性活化，然后在無電解電鍍溶液中沉積金屬電路是高密度封裝和3-維MID(mould interconnection devices)內(nèi)聯(lián)最理想的方法之一，但目前所采用的光源多為激光束，使用波長均在300nm以下，大規(guī)模實(shí)用有一定困難。本工作選擇了3種Pd鹽作為活性催化劑，研究使用紫外光I-線和g-線在ABS樹脂上沉積銅線路的方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，PdI具有對(duì)紫外光敏感性，單獨(dú)用作活化催化劑時(shí)可在ABS上沉積負(fù)性金屬銅圖形，當(dāng)它和SnCI復(fù)合使用時(shí)可沉積正性金屬線路。另外兩種鈀鹽PdCI和Pd(Ac)對(duì)所用光源沒有光選擇性活化特性。
